ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

產(chǎn)品型號:

 編碼ESP-RI-TEB-N-NP-05H

 ATOS比例閥： DPZO-TEB-SN-NP-471-L5/E

LIQZP-LEB-SN-NP-402L4

比例調(diào)節(jié)電磁網(wǎng)RZMO-P2-02-REB-P-NP-010/210

 單向節(jié)流閥;HQ-023/U   ATOS

 電磁閥QVHZO-A-06/12 2024VDCATOS

DKE-1714/WP 

 DHZO-TEB-SN-NP-071-S5

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H 11/DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71 

ATOS 14W1120DPZO-LES-SN-NP-260-L5/B

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H/Q11 DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71  

ATOS 電磁閥線圈 SDKE-1751/2 10S/PE 24V

產(chǎn)品功能;

如果將傳感器強行安裝在過小的孔或形狀不規(guī)則的孔中，就有可能造成傳感器的震動膜受到?jīng)_擊而損壞，選擇合適的工具加工安裝孔，有利于控制安裝孔的尺寸，另外，合適的安裝扭矩有利于形成良好的密封，但是如果安裝扭矩過高就容易引起高溫熔體壓力傳感器的滑脫，為防止這種現(xiàn)象發(fā)生，通常在傳感器安裝之前在其螺紋部分上涂抹防脫化合物。

我們知道，晶體是各向異性的，非晶體是各向同性的。某些晶體介質(zhì)，當沿著一定方向受到機械力作用發(fā)生變形時，就產(chǎn)生了極化效應；當機械力撤掉之后，又會重新回到不帶電的狀態(tài)，也就是受到壓力的時候，某些晶體可能產(chǎn)生出電的效應，這就是所謂的極化效應。科學家就是根據(jù)這個效應研制出了壓力傳感器。

半導體壓電阻抗擴散壓力傳感器是在薄片表面形成半導體變形壓力，通過外力（壓力）使薄片變形而產(chǎn)生壓電阻抗效果，從而使阻抗的變化轉換成電信號。

靜電容量型壓力傳感器，是將玻璃的固定極和硅的可動極相對而形成電容，將通過外力（壓力）使可動極變形所產(chǎn)生的靜電容量的變化轉換成電氣信號。 （E8Y的動作原理便是靜電容量方式，其他機種采用半導體方式）。

壓電傳感器中使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應就是在這種晶體中發(fā)現(xiàn)的，在一定的溫度范圍之內(nèi)，壓電性質(zhì)一直存在，但溫度過這個范圍之后，壓電性質(zhì)完全消失（這個高溫就是所謂的“居里點”）。由于隨著應力的變化電場變化微?。ㄒ簿驼f壓電系數(shù)比較），所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈敏度和壓電系數(shù)，但是它只能在室溫和濕度比較環(huán)境下才能夠應用。磷酸二氫胺屬于人造晶體，相對密度1.80，熔點190℃，能夠承受高溫和相當高的濕度，在空氣中穩(wěn)定。常溫下( 20℃)在水中的溶解度為37.4g，微溶于乙醇，不溶于丙酮，所以 已經(jīng)得到了廣泛的應用。在現(xiàn)在壓電效應也應用在多晶體上，比如現(xiàn)在的壓電陶瓷，包括鈦酸鋇壓電陶瓷、PZT、鈮酸鹽系壓電陶瓷、鈮鎂酸鉛壓電陶瓷等等。

ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式