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SICK施克電容式接近傳感器基本樣本

SICK施克電容式接近傳感器基本樣本

  • 所屬分類:德國SICK西克
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2016-06-20
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點
  • 技術(shù)參數(shù)

SICK施克電容式接近傳感器基本樣本


A = VS connections reverse-polarity protected.

C = interference suppression.

D = outputs overcurrent and short-circuit protected.

電 話:021-39529830轉(zhuǎn)8009

手 機(jī);18917074297

企業(yè)QQ;2880626083

郵箱;18917074297@163.com

Ambient storage temperature –40 °C ... +75 °C

Limit values, operation inProtecti

SICK施克電容式接近傳感器基本樣本

on class IIeight 0 Housing material ABSOptics material PMMA

Response time 4) < 1.2 ms

Switching frequency 5) 400 HzConnection type Male 

1072691 IMB08-02BPSVT0K 01

1072692 IMB08-02BPOVT0K 01

1072693 IMB08-02BNOVT0K 01

1072694 IMB08-04NPSVT0K 01

1072695 IMB08-04NPOVT0K 01

1072696 IMB08-04NNOVT0K 01

1072697 IMB08-02BPSVU2K 01

1072698 IMB08-02BPOVU2K 01

1072699 IMB08-02BNSVU2K 01

1072700 IMB08-02BNOVU2K 01

1072701 IMB08-04NPSVU2K 01

1072702 IMB08-04NNSVU2K 01

1072703 IMB08-04NNOVU2K 01

SICK施克電容式接近傳感器基本樣本


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